LIVRE BLANC : LACIE FASTKEY USB 3.0 SSD

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LIVRE BLANC : LACIE FASTKEY USB 3.0 SSD
Resume et FAQ
Ce livre blanc traite des atouts que presentent les disques a semi-conducteurs (SSD,
Solid State Drive) face aux disques durs classiques ; il cible plus particulierement la premiere mise en
Suvre de cette technologie emergeante, la FastKey USB 3.0.

Livre blanc LaCie (resume et FAQ) : FastKey USB 3.0 SSD

QU-EST-CE QU-UN DISQUE SSD
(SOLID STATE DRIVE, DISQUE A
SEMI-CONDUCTEURS) ?

PERFORMANCES
Temps d-acces : temps necessaire dont un programme ou un dispositif a besoin pour localiser une information unique et la rendre disponible pour l-ordinateur qui va la traiter. L-unite de mesure communement utilisee pour le temps d-acces est la milliseconde (ms).

Un disque de type SSD ne comporte que des modules de memoire flash de type NAND et un controleur extremement rapide.

Le temps d-acces d-une LaCie FastKey est inferieur a 1 ms, soit une vitesse plus de
18 fois superieure a celle d-un disque dur.

La fiabilite et la vitesse de ces disques sont plus importantes que celles des disques durs standards ; ils ne disposent en effet ni de composants mobiles, ni de latence, ni de vitesse de transfert variable.

Taux de transfert sequentiel : quantite de donnees que le dispositif peut lire ou ecrire pour les secteurs adjacents de l-outil de stockage en une seconde.

La LaCie FastKey est un veritable disque SSD.

MLC OU SLC ?
La technologie SLC (Single-Layer Cell, cellule a un niveau)
est generalement utilise dans les produits « de niveau professionnel », de part son prix et sa fiabilite plus eleves.
La technologie MLC (Multi-Layer Cell, cellule a plusieurs niveaux) est quant a elle generalement reservee aux produits « grand public ».
Les deux technologies disposent de la meme architecture.

QU-EST-CE QUE LE
NIVELLEMENT D-USURE
STATIQUE ?
La duree de vie des modules de memoire flash de type NAND est limitee a 1 000 000 cycles « programmation/suppression ». Le nivellement d-usure statique a ete cree afin de limiter ce probleme en dispersant les ecritures sur l-ensemble du dispositif et non toujours sur les memes blocs memoire.